[发明专利]使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻

摘要

一种方法包括蚀刻晶圆中的第一氧化物层。在具有与晶圆重叠的顶板的蚀刻器中实施蚀刻，并且顶板由不含氧材料形成。该方法还包括在蚀刻器中蚀刻位于第一氧化物层下方的氮化物层，直到暴露氮化物层下方的第二氧化物层的顶面。然后从蚀刻器去除晶圆，当去除晶圆时，暴露第二氧化物层的顶面。本发明实施例涉及使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

蚀刻晶圆中的第一氧化物层，其中，在包括与所述晶圆重叠的第一顶板的第一蚀刻器中实施所述蚀刻，并且所述第一顶板由不含氧材料形成；

在所述第一蚀刻器中蚀刻位于所述第一氧化物层下方的氮化物层，直到暴露位于所述氮化物层下方的第二氧化物层的顶面；以及

从所述第一蚀刻器去除所述晶圆，当去除所述晶圆时，暴露所述第二氧化物层的顶面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一顶板由硅形成，并且当蚀刻所述第一氧化物层时，所述第一顶板暴露于蚀刻气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一顶板由碳化硅形成，并且当蚀刻所述第一氧化物层时，所述第一顶板暴露于蚀刻气体。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在第二蚀刻器中蚀刻所述第二氧化物层和位于所述第二氧化物层下方的半导体衬底，其中，所述第二蚀刻器具有由含氧材料形成的第二顶板。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，除了直接位于所述晶圆上方的材料在所述第一蚀刻器和所述第二蚀刻器之间是不同的之外，所述第一蚀刻器和所述第二蚀刻器具有相同的设计。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二顶板由石英形成。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

从所述第一蚀刻器中移出所述第一顶板；

去除所述第一顶板上的表面氧化物层以暴露所述不含氧材料；以及

将所述第一顶板重新安装到所述第一蚀刻器内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，当在所述第一蚀刻器中实施所述蚀刻时，所述第一蚀刻器中的外部单元和保护环也由不含氧材料形成，并且其中，所述外部单元和所述保护环形成环绕所述第一顶板的环。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

将晶圆放置在第一蚀刻室中，其中，所述第一蚀刻室包括与所述晶圆重叠的第一顶板，并且所述第一顶板由不含氧材料形成；

在所述第一蚀刻室中蚀刻所述晶圆的第一氧化物层以暴露位于所述第一氧化物层下方的第一氮化物层；

在所述第一蚀刻室中蚀刻第一氮化物层以暴露第二氧化物层，其中，在所述第一氧化物层和所述第一氮化物层的蚀刻中，所述第一顶板暴露于由相应蚀刻剂气体产生的等离子体；

从所述第一蚀刻室中移出所述晶圆；

在第二蚀刻室中蚀刻所述第二氧化物层以暴露半导体衬底；

蚀刻所述半导体衬底以形成沟槽；以及

用介电材料填充所述沟槽以形成浅沟槽隔离区。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

将晶圆放置到蚀刻室的电子卡盘上，其中，所述晶圆直接位于所述蚀刻室中的多个部件下方，并且所述多个部件与所述晶圆之间具有间隔，并且其中，所述多个部件由硅形成；以及

使用蚀刻剂气体蚀刻所述晶圆中的氧化硅层，当蚀刻所述氧化硅层时在所述间隔中产生等离子体，其中，所述多个部件的底面暴露于所述等离子体，并且其中，在蚀刻所述氧化硅层中，产生作为蚀刻剂气体的部分的氧气(O₂)。