[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711218990.6 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183107B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;杨仁盛;石昇弘;翁烔城;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11592 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括存储器电路和逻辑电路。存储器电路包括字线、位线、公共线和具有连接至字线的栅极、连接至位线的漏极和连接至公共线的源极的存储器晶体管。逻辑电路包括具有栅极、漏极和源极的场效应晶体管(FET)。存储器晶体管具有形成在栅极介电层上的栅电极层，并且栅极介电层包括第一绝缘层和第一铁电(FE)材料层。FET具有形成在栅极介电层上的栅电极层，以及栅极介电层包括第二绝缘层和第二FE材料层。本发明的实施例还提供了形成该半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：存储器电路，包括：字线；位线；公共线；和存储器晶体管，具有连接至所述字线的栅极、连接至所述位线的漏极以及连接至所述公共线的源极；以及逻辑电路，包括：场效应晶体管(FET)，具有栅极、漏极和源极，其中：所述存储器晶体管的所述栅极具有形成在栅极介电层上的栅电极层，所述栅极介电层包括第一绝缘层和第一铁电(FE)材料层，以及所述场效应晶体管的所述栅极具有形成在栅极介电层上的栅电极层，所述栅极介电层包括第二绝缘层和第二铁电材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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