[发明专利]硅片湿刻装置在审
申请号: | 201711220851.7 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107958858A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;徐文州 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种能够对湿刻工艺过程中化学试剂实现自动添加的硅片湿刻装置。该硅片湿刻装置,包括储水箱、HF储存箱、HNO3储存箱以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽、刻蚀槽、第一清洗槽、碱洗槽、酸中和槽、第二清洗槽、酸洗槽、第三清洗槽;所述储水箱分别与刻蚀槽、第一清洗槽以及第二清洗槽通过带流量计的电磁阀连通;所述HF储存箱分别与去PSG槽、刻蚀槽通过带流量计的电磁阀连通;所述HNO3储存箱分别与刻蚀槽、酸洗槽通过带流量计的电磁阀连通。采用该硅片湿刻装置能够实现对应工艺槽内相应液体化学试剂的自动添加,并且保证添加的计量,保证工艺槽内相应溶液的配比。 | ||
搜索关键词: | 硅片 装置 | ||
【主权项】:
硅片湿刻装置,其特征在于:包括储水箱(300)、HF储存箱(200)、HNO3储存箱(400)以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽(100)、刻蚀槽(101)、第一清洗槽(102)、碱洗槽(103)、酸中和槽(104)、第二清洗槽(105)、酸洗槽(106)、第三清洗槽(107);所述储水箱(300)分别与刻蚀槽(101)、第一清洗槽(102)以及第二清洗槽(105)通过带流量计的电磁阀(500)连通;所述HF储存箱(200)分别与去PSG槽(100)、刻蚀槽(101)通过带流量计的电磁阀(500)连通;所述HNO3储存箱(400)分别与刻蚀槽(101)、酸洗槽(106)通过带流量计的电磁阀(500)连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造