[发明专利]一种Mg/Al真空扩散焊接头在审
| 申请号： | 201711221415.1 | 申请日： | 2017-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN109834381A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 岳笑含 | 申请（专利权）人： | 沈阳华巨科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K20/02 | 分类号： | B23K20/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 为了改善接头的硬度、耐磨性，设计了一种Mg/Al真空扩散焊接头。采用工业纯镁和工业纯铝为原料，所制得的Mg/Al真空扩散焊接头，其硬度、致密化程度、抗弯强度都得到大幅提升。其中，真空扩散焊接接头形貌良好，充分扩散后界面处形成连续的扩散反应层。真空扩散焊接过程中界面两侧的Mg、Al原子受热激活后发生扩散迁移，在界面晶体缺陷处优先发生新相的析出长大。与基体的连接界面也从波浪状生长趋于平直，最后原始界面消失，相应位置形成平直均匀的扩散反应层。接头抗弯强度随保温时间延长呈先上升后下降的变化趋势。本发明能够为制备高性能的真空扩散焊接头提供一种新的生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 真空扩散 焊接头 扩散反应层 抗弯 平直 形貌 制备高性能 扩散 变化趋势 工业纯铝 工业纯镁 焊接过程 焊接接头 晶体缺陷 连接界面 时间延长 原始界面 耐磨性 析出 受热 波浪状 界面处 致密化 生产工艺 保温 激活 迁移 生长 | ||
【主权项】：
1.Mg/Al真空扩散焊接头的制备原料包括：工业纯镁和工业纯铝。
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