[发明专利]线距标准样片的制备方法在审
| 申请号： | 201711223205.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107993956A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 赵琳;孙虎;梁法国;李锁印;韩志国;冯亚南;许晓青;吴爱华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种线距标准样片的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括将衬底进行第一预处理；在所述衬底的第一区域的上表面生长氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层至所述衬底，在所述第一区域形成多个不同周期尺寸的氮化硅光栅结构和/或氮化硅格栅结构；将所述衬底进行第二预处理；在所述衬底的第二区域的上表面生长二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层至所述衬底，在所述第二区域形成多个不同周期尺寸的二氧化硅光栅结构和/或二氧化硅格栅结构；在所述第二区域的上表面生长金属层。本发明能够通过一次加工工艺制作出满足多种测量仪器需求的线距标准样片，并且能够降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 样片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种线距标准样片的制备方法，其特征在于，包括：将衬底进行第一预处理，去除所述衬底表面的杂质；在经过所述第一预处理的衬底的第一区域的上表面生长氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层至所述衬底，在所述第一区域形成氮化硅图形结构，其中，所述氮化硅图形结构为多个不同周期尺寸的氮化硅光栅结构和/或氮化硅格栅结构；将所述衬底进行第二预处理，去除所述衬底表面的杂质；在经过所述第二预处理的衬底的第二区域的上表面生长二氧化硅层；其中，所述第一区域与所述第二区域无重叠；刻蚀所述二氧化硅层至所述衬底，在所述第二区域形成二氧化硅图形结构，其中，所述二氧化硅图形结构为多个不同周期尺寸的二氧化硅光栅结构和/或二氧化硅格栅结构；在已形成所述二氧化硅图形结构的衬底的第二区域的上表面生长金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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