[发明专利]光电半导体元件及其制法有效
| 申请号： | 201711223757.7 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108010971B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 余子强;富振华;黄信雄 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L33/40;H01L33/62 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电半导体元件及其制法，该光电半导体元件包含：一基板；一光电系统位于基板之上；一阻障层位于光电系统之上，其中此阻障层厚度不小于10埃；及一电极位于阻障层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种光电半导体组件，其特征在于，该光电半导体组件包含：/n基板；/n光电系统，位于该基板之上；/n阻障层，位于该光电系统之上，其中该阻障层接触该光电系统；及/n电极，位于该阻障层之上，/n其中该光电半导体组件于室温下具有一第一顺向电压及于高于室温的温度下进行退火处理后具有一第二顺向电压；其中该第二顺向电压与该第一顺向电压的差异值小于0.2伏特。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
