[发明专利]制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 201711224055.0 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN108122745A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 傅千骅;林耕雍;林延勳;陈冠雄;郭瑞年;洪铭辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/336
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种制造半导体装置的方法,包括在基板上形成半导体层,直接在所形成的半导体层上形成高介电常数介电层,以及对半导体层、高介电常数介电层、及基板进行退火。半导体层为第Ⅲ‑V族化合物半导体。
搜索关键词: 半导体层 高介电常数介电层 半导体装置 基板 退火 半导体 制造
【主权项】:
一种制造半导体装置的方法,其特征在于,包含:形成一半导体层于一基板上;直接形成一或多个高介电常数介电层于初形成的该半导体层上;以及退火处理该半导体层、该一或多个高介电常数介电层及该基板,其中该半导体层为一第Ⅲ‑V族化合物半导体。
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