[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201711224055.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122745A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 傅千骅;林耕雍;林延勳;陈冠雄;郭瑞年;洪铭辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，包括在基板上形成半导体层，直接在所形成的半导体层上形成高介电常数介电层，以及对半导体层、高介电常数介电层、及基板进行退火。半导体层为第Ⅲ‑V族化合物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 高介电常数介电层 半导体装置 基板 退火 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一半导体层于一基板上；直接形成一或多个高介电常数介电层于初形成的该半导体层上；以及退火处理该半导体层、该一或多个高介电常数介电层及该基板，其中该半导体层为一第Ⅲ‑V族化合物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
