[发明专利]一种纳米结构的半导体在审
| 申请号： | 201711225054.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109839407A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泰瑞科微电子（淮安）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B82Y30/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211700 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米结构的半导体，本发明以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体，以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的，纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系。通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维（ISc）上负载La0.7Sr0.3FeO3纳米粒子获得了一种具有抗湿能力的三甲胺气体（TMA）敏感材料（LISc）。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 半导体 金属氧化物半导体 半导体材料 光催化性能 纳米结构化 三甲胺气体 二氧化钛 复合网状 敏感材料 纳米粒子 纳米纤维 氧化锡 氧化铟 抗湿 研究 | ||
【主权项】：
1.一种纳米结构的半导体，本发明以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体，以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的，纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系，通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维（ISc）上负载La0.7Sr0.3FeO3纳米粒子获得了一种具有抗湿能力的三甲胺气体（TMA）敏感材料（LISc）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰瑞科微电子（淮安）有限公司，未经泰瑞科微电子（淮安）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711225054.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
