[发明专利]一种AlGaInP发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711227890.X | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108010996B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杜石磊;李俊承;韩效亚;伏兵;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种AlGaInP发光二极管及其制作方法，所述制作方法为：分别提供第一LED外延结构、第二LED外延结构和第三衬底，其中，第一LED外延结构包括第一型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层、第二型AlInP限制层，第二LED外延结构包括GaP电流扩展层，然后采用键合工艺将第二LED外延结构先与第三衬底键合，再将第一LED外延结构与第二LED外延结构键合，形成完整的发光二极管结构。通过两次键合工艺，避免了在生长较高晶体质量的GaP电流扩展层时，需要高于AlGaInP材料的温度，且耗时较长，造成的第一型掺杂杂质与第二型掺杂杂质向多量子阱层扩散，影响多量子阱的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，包括：提供第一LED外延结构、第二LED外延结构、第三衬底；其中，所述第一LED外延结构包括：第一GaAs衬底，位于所述第一GaAs衬底上沿背离所述第一GaAs衬底的方向上依次设置的第一缓冲层、第一剥离层、第一型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层、第二型AlInP限制层；所述第二LED外延结构包括：第二GaAs衬底、位于所述第二GaAs衬底上沿背离所述第二GaAs衬底的方向上依次设置的第二缓冲层、第二剥离层、第二型AlInP限制层和GaP电流扩展层；将所述第三衬底与所述GaP电流扩展层键合；去除所述第二剥离层、所述第二缓冲层和所述第二GaAs衬底；将所述第一LED外延结构的第二型AlInP限制层与所述第二LED外延结构第二型AlInP限制层键合；去除所述第一剥离层、所述第一缓冲层和所述第一GaAs衬底。
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