[发明专利]一种表面羟基化介孔SiO2-TiO2复合自清洁涂层及其制备方法

摘要

本发明属于自清洁涂层技术领域，具体涉及一种表面羟基化介孔SiO₂‑TiO₂复合自清洁涂层及其制备方法。本发明首先分别制备SiO₂溶胶和TiO₂溶胶，再经过煅烧获得介孔SiO₂薄膜，采用浸渍提拉法在介孔SiO₂薄膜表面涂覆一层TiO₂并经煅烧制得介孔SiO₂‑TiO₂复合涂层，最后通过双氧水羟基化处理制得表面羟基化介孔SiO₂‑TiO₂复合自清洁涂层。本发明通过对自清洁涂层表面进行羟基化处理使复合自清洁涂层表面极性增强，提高表面亲水性；引入介孔增加了涂层表面的粗糙度增强涂层表面亲水性；同时也更多的暴露了TiO₂的活性位，使本发明复合自清洁涂层表面润湿性得到显著提高，可在没有紫外光照射的情况下依然具有良好的亲水特性。

主权项

1.一种表面羟基化介孔SiO₂‑TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于所述制备方法步骤如下：步骤一：将0.06～0.08gCTAB胶粒溶于32～37mL去离子水和14～16mL无水乙醇混合溶液，向上述混合溶液中加入0.5～2.0mL正硅酸乙酯并以100～300r/min搅拌10～30min，制得SiO₂溶胶；步骤二：将10～12mL钛酸四丁酯加入0.9～1.1mL乙酰丙酮和34～36mL无水乙醇的混合溶液中，制得TiO₂溶胶；步骤三：将干净干燥的衬底置于步骤一制得的SiO₂溶胶中，并在一定温度下静置，得到表面附着有一层SiO₂溶胶的衬底并将其于530～580℃温度下煅烧3～3.5h以除去CTAB，煅烧后衬底表面所附着的即为制得的介孔SiO₂薄膜；步骤四：按浸渍提拉法将步骤三制得的表面附着有介孔SiO₂薄膜的衬底放置于步骤二制得的TiO₂溶胶中浸渍一定时间，再将衬底匀速从TiO₂溶胶中提拉出来，使介孔SiO₂薄膜上涂覆有一层TiO₂溶胶，经煅烧制得介孔SiO₂‑TiO₂复合涂层；步骤五：将步骤四制得的涂覆有介孔SiO₂‑TiO₂复合涂层的衬底放置在双氧水中加热至一定温度并保温一定时间后，将其放入烘箱中烘干，制得表面羟基化介孔SiO₂‑TiO₂复合自清洁涂层。