[发明专利]一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺在审
申请号: | 201711228896.9 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107910382A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 缪强;常宇峰;王亚豪;宛正 | 申请(专利权)人: | 江苏彩虹永能新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 215600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺,包括金刚线切割多晶P型硅片和铝背场,所述铝背场设置在金刚线切割多晶P型硅片下方,所述金刚线切割多晶P型硅片上方设置有第一氮化硅层,所述第一氮化硅层上方设置有第二氮化硅层,所述第二氮化硅层上方设置有第三氮化硅层,所述第三氮化硅层上方设置有栅线电极,第一氮化硅层采用折射率为2.4的氮化硅薄膜,第二氮化硅层采用折射率为2.15的氮化硅薄膜,第三氮化硅层采用折射率为2.0的氮化硅薄膜,该高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池,可以有效降低金刚线切电池片的光反射率,提高电池转换效率,可以普遍推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 三层 氮化 金刚 太阳能电池 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池,包括金刚线切割多晶P型硅片(2)和铝背场(1),其特征在于:所述铝背场(1)设置在金刚线切割多晶P型硅片(2)下方,所述金刚线切割多晶P型硅片(2)上方设置有第一氮化硅层(3),所述第一氮化硅层(3)上方设置有第二氮化硅层(4),所述第二氮化硅层(4)上方设置有第三氮化硅层(5),所述第三氮化硅层(5)上方设置有栅线电极(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的