[发明专利]一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺在审

专利信息
申请号: 201711228896.9 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107910382A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 缪强;常宇峰;王亚豪;宛正 申请(专利权)人: 江苏彩虹永能新能源有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 代理人: 李静
地址: 215600 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺,包括金刚线切割多晶P型硅片和铝背场,所述铝背场设置在金刚线切割多晶P型硅片下方,所述金刚线切割多晶P型硅片上方设置有第一氮化硅层,所述第一氮化硅层上方设置有第二氮化硅层,所述第二氮化硅层上方设置有第三氮化硅层,所述第三氮化硅层上方设置有栅线电极,第一氮化硅层采用折射率为2.4的氮化硅薄膜,第二氮化硅层采用折射率为2.15的氮化硅薄膜,第三氮化硅层采用折射率为2.0的氮化硅薄膜,该高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池,可以有效降低金刚线切电池片的光反射率,提高电池转换效率,可以普遍推广使用。
搜索关键词: 一种 高效 三层 氮化 金刚 太阳能电池 及其 制造 工艺
【主权项】:
一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池,包括金刚线切割多晶P型硅片(2)和铝背场(1),其特征在于:所述铝背场(1)设置在金刚线切割多晶P型硅片(2)下方,所述金刚线切割多晶P型硅片(2)上方设置有第一氮化硅层(3),所述第一氮化硅层(3)上方设置有第二氮化硅层(4),所述第二氮化硅层(4)上方设置有第三氮化硅层(5),所述第三氮化硅层(5)上方设置有栅线电极(6)。
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