[发明专利]一种气体传感器的制造方法以及由此制造的气体传感器有效
| 申请号： | 201711237057.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108107081B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张进;戈肖鸿;俞正寅;庞俊;戴华;张培军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪;宋丽荣 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 传感器 制造 方法 以及 由此 | ||
【主权项】：
1.一种气体传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在硅衬底(1)上生长第一介质层(11)，在第一介质层(11)上涂第一光刻胶(12)，在第一介质层(11)上的保护区域内对硅衬底(1)进行第一次光刻和硅刻蚀，产生硅突出平台(8)；S2，在硅突出平台(8)上淀积作为热反射层的第一金属薄膜层(2)，在第一金属薄膜层(2)上进行第二次光刻和第一金属薄膜层(2)刻蚀，得到矩形的金属反射层图形(14)；S3，在硅衬底(1)和第一金属薄膜层(2)上通过淀积第二介质层(3)，在硅突出平台(8)的第二介质层(3)上淀积作为加热电阻层的第二金属薄膜层(4)，在第二金属薄膜层(4)上进行第三次光刻和第二金属薄膜层(4)刻蚀，得到加热电阻图形(15)；S4，在第二介质层(3)和第二金属薄膜层(4)上淀积第三介质层(5)，在覆盖硅突出平台(8)的第三介质层(5)上淀积作为气敏电阻电极层的第三金属薄膜层(6)，在第三金属薄膜层(6)上进行第四次光刻和第三金属薄膜层(6)刻蚀，得到气敏电阻电极层叉指图形(16)；S5，在第三介质层(5)和第三金属薄膜层(6)上涂覆第五光刻胶(13)，在第三金属薄膜层(6)上进行第五次光刻，得到矩形的气敏电阻区图形(17)，而第三介质层(5)上的第五光刻胶(13)保留；S6，在剩余的第五光刻胶(13)和第三金属薄膜层(6)上淀积第四金属薄膜层(7)，该第四金属薄膜层(7)为氧化物气敏材料层；S7，利用溶剂将第三介质层(5)上的第五光刻胶(13)去除，在第三金属薄膜层(6)上的气敏电阻区图形(17)的区域留下第四金属薄膜层(7)，其它区域的第四金属薄膜层(7)随第五光刻胶(13)的去除而被剥离。
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