[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711241411.X | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108054177A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王月;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一器件面和第二器件面，所述第二器件面具有第一曲率；提供承载晶圆，所述承载晶圆包括相对的第一承载面和第二承载面，所述第二承载面具有第二曲率，所述第二曲率与第一曲率不相等；在所述第一承载面和/或所述第一器件面表面形成应力层，以减小所述第一曲率和第二曲率的差值；通过所述第二器件面和第二承载面对所述承载晶圆和器件晶圆进行键合处理。所述方法能够改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一器件面和第二器件面，所述第二器件面具有第一曲率；提供承载晶圆，所述承载晶圆包括相对的第一承载面和第二承载面，所述第二承载面具有第二曲率，所述第二曲率与第一曲率不相等；在所述第一承载面和/或所述第一器件面表面形成应力层，以减小所述第一曲率和第二曲率的差值；通过所述第二器件面和第二承载面对所述承载晶圆和器件晶圆进行键合处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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