[发明专利]大功率半导体元件有效
| 申请号： | 201711242035.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109860285B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘应;陈燕平;任亚东;曾文彬;郭金童;奉琴;孙文伟;唐豹 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 刘华联 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种大功率半导体元件，属于电子器件领域，包括绝缘外环，设置在所述绝缘外环下部的阴极组件，所述阴极组件下表面设置阴极导电层；设置在所述绝缘外环上部的阳极组件，所述阳极组件上表面设置阳极导电层；连接所述阴极组件的门极组件，所述门极组件设有伸出绝缘外环的门极引线；以及连接所述阴极组件和阳极组件的芯片。本发明的阴极组件上设置阴极导电层，阳极组件设置阳极导电层；从而代替重量较大的打垫层材料，减小了重量和体积。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种大功率半导体元件，其特征在于，包括：绝缘外环(1)，设置在所述绝缘外环(1)下部的阴极组件(2)，所述阴极组件(2)下表面设置阴极导电层(21)；设置在所述绝缘外环(1)上部的阳极组件(3)，所述阳极组件(3)上表面设置阳极导电层(31)；连接所述阴极组件(2)的门极组件(4)，所述门极组件(4)设有伸出绝缘外环(1)的门极引线；以及连接所述阴极组件(2)和阳极组件(3)的芯片(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711242035.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
