[发明专利]磁场检测传感器在审
| 申请号： | 201711242210.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108152765A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 谷川纯也;杉山洋贵;石居真;庄田隆博 | 申请（专利权）人： | 矢崎总业株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人： | 吴立;邹轶鲛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁场检测传感器，包括：第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件，其分别具有磁性材料；偏置线圈，该偏置线圈将偏置磁场施加到第一磁阻抗元件的磁体；高频振荡电路，该高频振荡电路将高频电流供给至第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件的磁体；交流偏置电路，该交流偏置电路将交流偏置电流供给至偏置线圈；第一检测电路，基于第一磁阻抗元件在被施加偏置磁场和外部磁场的状态下的阻抗变化，该第一检测电路生成第一检测信号；以及第二检测电路，基于第二磁阻抗元件在被施加外部磁场且不被施加偏置磁场的状态下的阻抗变化，该第二检测电路生成第二检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻抗元件 第二检测 偏置磁场 偏置线圈 施加 磁场检测传感器 高频振荡电路 检测电路 偏置电路 外部磁场 阻抗变化 高频电流供给 磁性材料 电路生成 检测信号 偏置电流 交流 电路 | ||
【主权项】：
一种磁场检测传感器，包括：第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件，所述第一磁阻抗元件和所述第二磁阻抗元件均具有磁性材料；偏置线圈，该偏置线圈将偏置磁场施加到所述第一磁阻抗元件的磁体；高频振荡电路，该高频振荡电路将高频电流供给至所述第一磁阻抗元件的磁体和所述第二磁阻抗元件的磁体；交流偏置电路，该交流偏置电路将交流偏置电流供给至所述偏置线圈；第一检测电路，基于所述第一磁阻抗元件在被施加所述偏置磁场和外部磁场的状态下的阻抗变化，所述第一检测电路生成第一检测信号；第二检测电路，基于所述第二磁阻抗元件在被施加所述外部磁场且不被施加所述偏置磁场的状态下的阻抗变化，所述第二检测电路生成第二检测信号；以及磁场计算单元，基于所述第一检测信号和所述第二检测信号，所述磁场计算单元计算所述外部磁场的大小和方向。
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