[发明专利]一种基于预处理工艺的晶圆键合方法

摘要

本发明提供一种基于预处理工艺的晶圆键合方法，属于半导体制造技术领域，包括：通过预处理工艺，对一片或两片晶圆进行预处理以去除晶圆上的残留；步骤S2、通过键合工艺，对两片晶圆进行键合处理以使两片晶圆键合；步骤S1中，预处理工艺具体步骤包括：步骤S11、通过一保护罩覆盖晶圆并暴露残留，采用干法刻蚀工艺对倒角上的残留进行干法刻蚀以去除残留；步骤S12、去除保护罩，通过一酸液对晶圆进行至少一次清洗处理。本发明的有益效果：能够去除前制程工艺中产生的残留，避免在键合工艺时残留剥落至晶圆表面使晶圆键合后形成键合缺陷，从而降低晶圆键合空洞缺陷率，提高产品良率，改善产品性能。

主权项

1.一种基于预处理工艺的晶圆键合方法，其特征在于，所述晶圆键合方法适用于分别经过前制程工艺加工的两片晶圆，至少一片所述晶圆的边缘具有一倒角，所述倒角上具有经过所述前制程工艺加工后产生的残留；其特征在于，所述晶圆键合方法包括：步骤S1、通过预处理工艺，对具有所述倒角的所述晶圆进行预处理以去除所述晶圆上的所述残留；步骤S2、通过键合工艺，对所述两片晶圆进行键合处理以使所述两片晶圆键合；所述步骤S1中，所述预处理工艺的具体步骤包括：步骤S11、通过一保护罩覆盖所述晶圆并暴露所述残留，采用干法刻蚀工艺对所述倒角上的所述残留进行干法刻蚀以去除所述残留；步骤S12、去除所述保护罩，通过一酸液对所述晶圆进行至少一次清洗处理。