[发明专利]一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法在审
| 申请号： | 201711242816.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108009352A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 樊强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行冗余图形的填充；步骤S3，针对填充冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充冗余图形和印刷图形后的第三版图进行时序分析；能够进行全面完整印刷图案的时序分析，从而保证了制备过程的高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 版图 填充 流程 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻版图的填充流程，其特征在于，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，所述设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对所述第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行所述冗余图形的填充；步骤S3，针对填充所述冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充所述冗余图形和所述印刷图形后的所述第三版图进行时序分析。
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