[发明专利]一种放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷在审
| 申请号： | 201711244077.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109851366A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 高明超 | 申请（专利权）人： | 沈阳东青科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/65 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 为了改善粉末合金的硬度、耐磨性，设计了一种放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷。采用Mo粉和Si粉为原料，所制得的放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷，其硬度、致密化程度、抗弯强度都得到大幅提升。其中，MoSi2陶瓷由MoSi2和少量第二相Mo5Si3/Mo4.8Si3C0.6以及SiO2相组成。随烧结温度升高，第二相Mo5Si3/Mo4.8Si3C0.6的含量增多，且发生Mo5Si3向Mo4.8Si3C0.6的相转变。随烧结温度升高，基体组织细化，陶瓷沿晶断裂比例增加，第二相产生一定的强韧化作用。1100℃烧结的MoSi2陶瓷综合性能最佳。本发明能够为制备高性能的MoSi2陶瓷提供一种新的生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 放电等离子烧结 原位制备 烧结 第二相 制备高性能 耐磨性 比例增加 粉末合金 基体组织 综合性能 强韧化 致密化 抗弯 细化 生产工艺 断裂 | ||
【主权项】：
1.放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷的制备原料包括：纯度＞99.95%，粒径＜2μm的Mo粉和纯度＞99.99%，粒径＜12μm的Si粉。
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