[发明专利]NMOS器件及计算机在审
| 申请号： | 201711244536.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107863389A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NMOS器件100，所述NMOS器件100包括Si衬底101；SiGe虚衬底102，设置于所述Si衬底101上表面；P型SiGe层103，设置于所述晶化SiGe层102上表面；栅极104，设置于所述N型应变Ge层103上表面中间位置处；源区105与漏区106，设置于所述N型应变Ge层103上部并分别位于所述栅极104两侧位置处；源区电极107、漏区电极108，分别设置于所述源区105上表面中间位置处与所述漏区106上表面中间位置处；介质层109，设置于所述源区105上表面并位于所述源区电极107两侧、所述漏区106上表面并位于所述漏区电极108两侧及所述栅极104上表面；钝化层110，设置于所述源区电极107、所述漏区电极108及所述介质层109上。本发明提供的NMOS器件，其迁移率比传统NMOS高，工作速度快，性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 器件 计算机 | ||
【主权项】：
一种NMOS器件(100)，其特征在于，包括：Si衬底(101)；SiGe虚衬底(102)，设置于所述Si衬底(101)上表面；P型SiGe层(103)，设置于所述晶化SiGe层(102)上表面；栅极(104)，设置于所述N型应变Ge层(103)上表面中间位置处；源区(105)与漏区(106)，设置于所述N型应变Ge层(103)上部并分别位于所述栅极(104)两侧位置处；源区电极(107)、漏区电极(108)，分别设置于所述源区(105)上表面中间位置处与所述漏区(106)上表面中间位置处；介质层(109)，设置于所述源区(105)上表面并位于所述源区电极(107)两侧位置处、所述漏区(106)上表面并位于所述漏区电极(108)两侧位置处及所述栅极(104)上表面；钝化层(110)，设置于所述源区电极(107)、所述漏区电极(108)及所述介质层(109)上表面。
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