[发明专利]Ge材料NMOS器件在审
| 申请号： | 201711244549.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107863390A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ge材料NMOS器件，包括Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(104)和漏区(105)，设置于所述栅极区(103)两侧的所述P型应变Ge沟道层(102)内；介质层(106)，设置于所述栅极区(103)、所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；接触电极(107)，设置于所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；本发明提供的NMOS器件基于高质量的Si1‑xGex/Si虚衬底和P型应变Ge沟道层，相对于传统Ge材料NMOS器件，其载流子迁移率有了很大提升，在减小NMOS器件尺寸的同时提高了NMOS器件的电流驱动与频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | ge 材料 nmos 器件 | ||
【主权项】：
一种Ge材料NMOS器件，其特征在于，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(104)和漏区(105)，设置于所述栅极区(103)两侧的所述P型应变Ge沟道层(102)内；介质层(106)，设置于所述栅极区(103)、所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；接触电极(107)，设置于所述源区(104)和所述漏区(105)表面上。
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