[发明专利]一种IGBT器件及制造方法有效
| 申请号： | 201711245096.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108010964B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;王宇;王修忠;麻建国 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种IGBT器件及制造方法，属于半导体器件领域。IGBT器件包括绝缘栅场效应管、位于绝缘栅场效应管漏区的肖特基势垒二极管，肖特基势垒二极管和绝缘栅场效应管通过共用的N‑漂移区复合而成，在肖特基势垒二极管中通过肖特基势垒接触形成IGBT器件的一个发射结，IGBT的发射极位于绝缘栅场效应管的上表面、集电极位于肖特基势垒二极管的下表面。本发明提供的IGBT器件采用MOS管结合肖特基势垒二极管的结构形式构成，利用肖特基势垒二极管中少子对MOS中的漂移区进行导电调制，获得了改善的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括绝缘栅场效应管、位于所述绝缘栅场效应管漏区的肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管和所述绝缘栅场效应管通过共用的N-漂移区复合，在所述肖特基势垒二极管中通过肖特基势垒接触形成所述IGBT器件的一个发射结，所述IGBT的发射极位于所述绝缘栅场效应管的上表面、集电极位于肖特基势垒二极管的下表面。
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