[发明专利]错误检测码生成电路以及包括其的存储器控制器有效

专利信息
申请号: 201711248279.5 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108153609B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 车相彦;柳睿信;金荣植;杜粹然 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H03M13/09 分类号: H03M13/09;G11C29/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体设备的错误检测码生成电路包括第一循环冗余校验(CRC)引擎、第二CRC引擎和输出选择引擎。第一CRC引擎响应于模式信号,基于多个第一单位数据和第一DBI位,使用第一生成矩阵来生成第一错误检测码位。第二CRC引擎响应于模式信号,基于多个第二单位数据和第二DBI位,使用第二生成矩阵来生成第二错误检测码位。输出选择引擎响应于模式信号,通过合并第一错误检测码位和第二错误检测码位来生成最终错误检测码位。第一生成矩阵与第二生成矩阵相同。
搜索关键词: 错误 检测 生成 电路 以及 包括 存储器 控制器
【主权项】:
一种半导体设备的错误检测码生成电路,所述错误检测码生成电路包括:第一循环冗余校验(CRC)引擎,被配置为响应于模式信号,基于多个第一单位数据和第一数据总线反转(DBI)位,使用第一生成矩阵来生成第一错误检测码位,其中第一DBI位中的每个指示第一单位数据的相应位是否被反转,其中模式信号指示码率模式;第二CRC引擎,被配置为响应于模式信号,基于多个第二单位数据和第二DBI位,使用第二生成矩阵来生成第二错误检测码位,其中第二DBI位中的每个指示第二单位数据的相应位是否被反转;以及输出选择引擎,被配置为响应于模式信号,通过合并第一错误检测码位和第二错误检测码位来生成最终错误检测码位,其中第一生成矩阵与第二生成矩阵相同。
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