[发明专利]一种二极管的制造方法及由此制得的二极管有效
申请号: | 201711248776.5 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108010841B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 刘云燕;李广德;王仁东;修俊山;付圣贵;谢德怀;魏芹芹;孙艳 | 申请(专利权)人: | 山东理工大学 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L29/861 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 255000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种二极管的制造方法及由此制得的二极管,本发明的制造方法包括二极管晶粒制备、填装、焊接、清洗封装步骤,本发明利用晶粒和焊片在高温下不同的热膨胀系数及形变,焊接前无需提前对正晶粒,即可实现焊接后晶粒自动拉正,气孔面积大大减小,提高焊接质量,经由氢氟酸:醋酸:硫酸:硝酸的体积比=8.8:13:5.6:9.2制得的混合酸酸洗后的晶粒电性良率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 制造 方法 由此 | ||
【主权项】:
1.一种二极管的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1:二极管晶粒的制备1.1、在硅晶片的厚度方向预切割,形成不完全切开的方形的二极管晶粒,硅晶片的切割深度为硅晶片总厚度的3/5~4/5;1.2、将在厚度方向预切割的硅晶片N面朝上放在晶粒裂解纸上,切割刀口方向朝上,轻压,使得不完全切开的二极管晶粒完全裂解;步骤2:装填2.1、将下引线装入下焊接舟,2.2、将焊片放入焊片吸盘,并移入焊接舟,焊片落在引线之上;二极管晶粒放入焊接舟,落在焊片之上,二极管晶粒上放置焊片,在焊接舟表面均匀喷洒助焊剂,最后合上载有上引线的上焊接舟;二极管晶粒可以任意角度放入,无需刻意调整晶粒放入的角度,焊片放入时也无需刻意调整位;2.3、焊片大小与方形晶粒大小之间遵循严格的尺寸比例关系,焊片过大,方形晶粒无法拉正,焊片过小,方形晶粒间接触不良,47、55、90、134mil尺寸的方形晶粒分别对应的焊片尺寸为是:Φ1.30mm、厚度0.05mm;Φ1.70mm、厚度0.05mm;Φ2.80mm、厚度0.05mm;Φ3.56mm,厚度0.10mm;步骤3:焊接装填好的焊接舟,放入焊接炉进行焊接,形成二极管焊接件,焊接温度和时间为:在常温下,以16.5±0.5℃/min的升温斜率加热焊接温度至310~320℃,焊接温度维持时间:5~10min;再以7.0±0.5℃/min的降温斜率降温至70±5℃,最后自然降至室温,步骤4:清洗包括如下步骤:4.1:用混合酸在常温下对焊接后的二极管焊接件酸洗150秒,然后用去离子水冲洗二极管焊接件60秒;4.2:将浓度为85±1%的磷酸:浓度35±1%的双氧水:纯水按照体积比为1:1:3混合搅拌8~10分钟制得酸洗液,将制得的酸洗液加热至60℃,二极管焊接件在此酸洗液中清洗60秒,然后用去离子水冲洗二极管焊接件60秒;4.3:将浓度25%~28%的氨水、浓度为35±1%的双氧水和纯水按照体积比为9:1:9比例混合均匀制得酸洗液,使用常温的此酸洗液将二极管焊接件清洗60秒,然后用去离子水冲洗二极管焊接件60秒;4.4:清洗后的二极管焊接件在去离子水超声或者兆声清洗3分钟,然后用50~60℃的去离子水冲洗二极管焊接件60秒;4.5:二极管焊接件放入异丙醇浸泡5~8分钟;4.6:将二极管焊接件在170~210℃温度下烘干一小时,步骤5:对清洗烘干后的二极管焊接件上白胶,然后进行固化,二极管封装成型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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