[发明专利]半导体装置及其中的保护电路,以及半导体装置的操作方法有效

专利信息
申请号: 201711249259.X 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108695322B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 黄乾燿 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种半导体装置,其包含第一导电类型的第一阱、位于第一阱的第一导电类型的第一区、位于第一阱的第二导电类型的多个第二区、位于第一阱的第二导电类型的第三区与第一阻抗负载。其中,位于第一阱的第一导电类型的第一区耦接至第一参考电压端子。位于第一阱的第二导电类型的多个第二区中,多个第二区的一区耦接至第一参考电压端子,以及该多个第二区与第一阱包含在一结构内其操作为第一晶体管。第一阻抗负载耦接在第三区与第二参考电压端子之间。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 中的 保护 电路 以及 操作方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:一第一传导型的一第一井;位于该第一井的该第一传导型的一第一区且耦接至一第一参考电压端子;位于该第一井的一第二传导型的多个第二区,其中该多个第二区的一区耦接至该第一参考电压端子,以及该多个第二区与该第一井包含在一结构内其操作为一第一晶体管;位于该第一井的该第二传导型的一第三区;以及一第一阻抗负载其耦接在该第三区与一第二参考电压端子之间。
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