[发明专利]半导体装置及其中的保护电路,以及半导体装置的操作方法有效
申请号: | 201711249259.X | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108695322B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 黄乾燿 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置,其包含第一导电类型的第一阱、位于第一阱的第一导电类型的第一区、位于第一阱的第二导电类型的多个第二区、位于第一阱的第二导电类型的第三区与第一阻抗负载。其中,位于第一阱的第一导电类型的第一区耦接至第一参考电压端子。位于第一阱的第二导电类型的多个第二区中,多个第二区的一区耦接至第一参考电压端子,以及该多个第二区与第一阱包含在一结构内其操作为第一晶体管。第一阻抗负载耦接在第三区与第二参考电压端子之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 中的 保护 电路 以及 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:一第一传导型的一第一井;位于该第一井的该第一传导型的一第一区且耦接至一第一参考电压端子;位于该第一井的一第二传导型的多个第二区,其中该多个第二区的一区耦接至该第一参考电压端子,以及该多个第二区与该第一井包含在一结构内其操作为一第一晶体管;位于该第一井的该第二传导型的一第三区;以及一第一阻抗负载其耦接在该第三区与一第二参考电压端子之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711249259.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的