[发明专利]一种熔断器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711253413.0 | 申请日： | 2017-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109872926B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 简佩;韩玉成;苟廷刚;周婉恬;芮家群;周浩;娄经红 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01H69/02 | 分类号： | H01H69/02 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种熔断器及其制备方法，包括以下步骤：(1)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后烧结；(2)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后烧结；(3)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，然后烧结；(4)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结；(5)一次裂片；(6)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；(7)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀镍、镀锡，保证镍层厚度为3～12μm、锡层厚度为5～18μm。经由本发明优化方工艺后，熔断器在做DPA分析的过程中未出现镍层分层现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔断器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种熔断器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后烧结；(2)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后烧结；(3)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，然后烧结；(4)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结；(5)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；(6)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；(7)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀镍、镀锡，保证镍层厚度为3～12μm、锡层厚度为5～18μm。
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