[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法有效
申请号: | 201711255198.8 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN109676437B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 林钦山;吕建兴;刘建成;李依晴 | 申请(专利权)人: | 环球晶圆股份有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/04 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英;沈敬亭 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种碳化硅晶片及其制造方法。所述碳化硅晶片的制造方法包括:提供碳化硅晶片,具有待抛光面;其中,所述待抛光面具有第一表面与第二表面;以抛光器在第一抛光液中,对所述待抛光面的所述第一表面与所述第二表面的其中一个表面进行抛光;其中,所述抛光器包含抛光垫及固定于所述抛光垫的多个研磨颗粒;以及以所述抛光器在第二抛光液中,对所述待抛光面的所述第一表面与所述第二表面的其中另一表面进行抛光;其中,所述第一抛光液的pH值不大于7,而所述第二抛光液的pH值不小于7。所述碳化硅晶片的制造方法能有效地提升所述碳化硅晶片的表面平坦度,以及减少所述碳化硅晶片表面的刮痕或缺陷。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅晶片的制造方法,其特征在于,所述碳化硅晶片的制造方法包括:提供碳化硅晶片,具有待抛光面;其中,所述待抛光面具有第一表面与第二表面;以抛光器在第一抛光液中,对所述待抛光面的所述第一表面与所述第二表面的其中一个表面进行抛光;其中,所述抛光器包含抛光垫及固定于所述抛光垫的多个研磨颗粒;以及以所述抛光器在第二抛光液中,对所述待抛光面的所述第一表面与所述第二表面的另一表面进行抛光;其中,所述第一抛光液的pH值不大于7,而所述第二抛光液的pH值不小于7。
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