[发明专利]晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201711257763.4 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108231577B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 松崎荣 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的制造方法，能够以短时间制造具有去疵层的晶片。该晶片的制造方法对在正面侧具有器件的晶片进行加工而制造在背面侧具有去疵层的晶片，该晶片的制造方法包含如下的步骤：保持步骤，隔着粘贴于正面上的保护部件而利用具有呈凸状弯曲的保持面的保持工作台的保持面对晶片进行保持；以及去疵层形成步骤，在保持步骤之后，使将氩气等离子化而得的氩离子与沿着保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的背面侧碰撞，从而在晶片的背面侧形成去疵层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的制造方法，对在正面侧具有器件的晶片进行加工而制造在背面侧具有去疵层的晶片，其特征在于，该晶片的制造方法具有如下的步骤：保持步骤，隔着粘贴于该正面上的保护部件而利用具有呈凸状弯曲的保持面的保持工作台的该保持面对晶片进行保持；以及去疵层形成步骤，在该保持步骤之后，使将氩气等离子化而得的氩离子与沿着该保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的该背面侧碰撞，从而在晶片的该背面侧形成去疵层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
