[发明专利]一种扇出型天线封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711259488.X 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN107910311A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/31;H01Q1/38
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种扇出型天线封装结构及其制备方法,所述制备方法包括提供一载体、释放层结构;并于释放层上表面依次形成单层天线结构及重新布线层;于重新布线层上表面形成至少一个与重新布线层电连接的半导体芯片;于半导体芯片两侧的重新布线层上形成引出导线;于重新布线层上表面形成包覆半导体芯片及引出导线的塑封层;去除部分塑封层以暴露出半导体芯片及引出导线;于塑封层上表面依次形成焊球下金属层及焊球凸块;去除载体和释放层以暴露出单层天线结构;于焊球凸块表面焊接一基板;及于半导体芯片的第二表面形成散热片。通过本发明提供的扇出型天线封装结构及其制备方法,解决了现有半导体芯片外接天线时,导致PCB面积较大的问题。
搜索关键词: 一种 扇出型 天线 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种扇出型天线封装结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:步骤1)提供一载体,并于所述载体上表面形成释放层;步骤2)于所述释放层上表面形成单层天线结构,并于所述单层天线结构上表面形成重新布线层;步骤3)于所述重新布线层上表面形成至少一个半导体芯片,所述半导体芯片包括第一表面,及与所述第一表面相对的第二表面,其中,所述半导体芯片的第一表面与所述重新布线层电连接;步骤4)于所述半导体芯片两侧的所述重新布线层上形成引出导线,其中,所述引出导线与所述重新布线层电连接;步骤5)于所述重新布线层上表面形成塑封层,其中,所述塑封层包覆所述半导体芯片及所述引出导线;步骤6)去除部分所述塑封层,以暴露出所述半导体芯片的第二表面及引出导线;步骤7)于所述塑封层上表面形成焊球下金属层,其中,所述焊球下金属层与所述引出导线电连接,并于所述焊球下金属层上表面形成焊球凸块;步骤8)去除所述载体和所述释放层,以暴露出所述单层天线结构;步骤9)于所述焊球凸块表面焊接一基板,其中,所述基板与所述焊球凸块电连接;以及步骤10)于所述半导体芯片的第二表面形成散热片。
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