[发明专利]近红外晶格失配探测器缓冲层

摘要

本发明提供一种近红外晶格失配探测器缓冲层，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As的组分比例逐渐增大，应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同。本发明通过将组分渐变层和低温缓冲层相结合，可以将较多的晶格失配分配到组分渐变层和低温缓冲层上，这样不仅可以降低缓冲层的厚度，而且可以降低错位密度，从而可以获得性能更加优良的探测器件。

主权项

1.一种近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对所述组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As组分比例逐渐增大，所述应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同；所述高温缓冲层的应变为M，所述组分渐变层的应变为N，满足0.4M≤N≤0.9M；即，组分渐变层的失配与高温缓冲层的失配不相同。