[发明专利]一种晶硅硅片的钝化层处理方法及晶硅太阳能电池

摘要

本发明提供了一种晶硅硅片的钝化层处理方法，包括在硅基体表面沉积钝化层；以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理。本发明提供的晶硅硅片的钝化层处理方法，可以对硅片表面的悬挂键进行足够的钝化，降低硅片表面的载流子复合率，增强钝化层的钝化效果，仅需对钝化层进行改性处理，使得改性后的钝化层可以被灵活运用，适应性强且广。本发明还提供了一种晶硅太阳能电池，包括采用上述钝化层处理方法制备的晶硅硅片，与现有技术相比，经过氢处理后的钝化层能够适用于多种结构模式的晶硅太阳能电池中，使得太阳能电池整体和表面得到更好的钝化，能够进一步提高太阳能电池的开路电压，提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种晶硅硅片的钝化层处理方法，其特征在于，包括：在硅基体表面沉积钝化层；以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理。