[发明专利]基板处理腔室和半导体处理系统有效
| 申请号： | 201711262383.X | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107799379B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 梁奇伟;X·陈;祝基恩;D·卢博米尔斯基;朴书南;J-G·杨;S·文卡特拉马;T·特兰;K·欣克利;S·加格 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;B05B1/00;B05B1/18;C23C16/452;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖;金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理腔室，包含：/n面板材；/n喷洒头，所述喷洒头包含：/n环形主体，包含：/n内环形壁、外环形壁、上表面及下表面，所述内环形壁位于内径，所述外环形壁位于外径；/n上凹部，形成在所述环形主体的所述上表面中；/n第一流体通道，界定于所述上表面中，所述第一流体通道从所述上凹部径向往内位于所述环形主体中；以及/n第二流体通道，界定于所述上表面中，所述第二流体通道从所述第一流体通道径向往外位于所述环形主体中；/n上板材，在所述上凹部处与所述环形主体耦接并覆盖所述第一流体通道，其中所述上板材界定多个第一孔，其中远程等离子体区域至少部分地界定在所述面板材与所述喷洒头之间；以及/n环形构件，覆盖所述第二流体通道。/n
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