[发明专利]使表面光滑的方法有效
| 申请号： | 201711265604.9 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231578B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 罗兰·芒福德 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及使表面光滑的方法。根据本发明，提供一种使硅衬底的表面光滑的方法，该方法包括以下步骤：提供具有后侧表面的硅衬底，其中硅衬底已被研磨以使后侧表面具有相关粗糙度；以及使用等离子体蚀刻处理使硅衬底的后侧表面光滑；其中等离子体蚀刻处理包括以下步骤：执行第一等离子体蚀刻步骤，该第一等离子体蚀刻步骤形成从后侧表面竖立的多个突起；以及执行第二等离子体蚀刻步骤，该第二等离子体蚀刻步骤至少部分地蚀刻突起，以提供呈现镜面反射的光滑后侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 光滑 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使硅衬底的表面光滑的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有后侧表面的硅衬底，其中所述硅衬底被已研磨以使所述后侧表面具有相关粗糙度；以及使用等离子体蚀刻处理使所述硅衬底的所述后侧表面光滑；其中，所述等离子体蚀刻处理包括以下步骤：执行第一等离子体蚀刻步骤，所述第一等离子体蚀刻步骤形成从所述后侧表面竖立的多个突起；以及执行第二等离子体蚀刻步骤，所述第二等离子体蚀刻步骤至少部分地蚀刻所述突起，以提供呈现镜面反射的光滑后侧表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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