[发明专利]制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201711266580.9 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN107946203B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 酒井宣隆;大武守;斋藤浩儿;高桥富视 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/683;H01L23/544;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够执行半导体器件的产品管理和/或迅速缺陷分析而未减少组装和测试过程中的吞吐量的技术。分别向在制造半导体器件(QFP)时使用的多个衬底(引线框)和向用于运送多个衬底的运送单元(架、批次、堆叠箱等)附着唯一标识信息。然后相互关联运送单元的标识信息(架ID)和向运送单元中存储的衬底的标识信息(衬底ID)。然后,在从向每个制造装置的加载器单元设置的运送单元取出衬底并且向装置的处理单元供应衬底时以及在向装置的卸载器单元的运送单元中存储其处理完成的衬底时,检查在运送单元的标识信息与衬底的标识信息之间的关联性。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)提供各自包括多个芯片装配部分和外部端子形成部分的多个衬底;(b)在所述衬底中的每个衬底中,在所述芯片装配部分中的每个芯片装配部分上装配半导体芯片;(c)在步骤(b)之后,在所述衬底中的每个衬底中,用传导部件电耦合所述半导体芯片的键合焊盘和所述外部端子形成部分;(d)在步骤(c)之后,在所述衬底中的每个衬底中,用树脂密封体密封所述半导体芯片和所述传导部件;(e)在步骤(d)之后,在所述衬底中的每个衬底中,在所述树脂密封体的表面上形成包括产品信息的标记;(f)在步骤(e)之后,在所述衬底中的每个衬底中,在向所述树脂密封体以外暴露的所述外部端子形成部分的表面上形成镀制层;(g)在步骤(f)之后,在所述衬底中的每个衬底中,通过切割所述树脂密封体和所述外部端子形成部分将所述衬底单一化成多个半导体器件;(h)在步骤(g)之后,在所述半导体器件中的每个半导体器件中,执行用于筛选用所述树脂密封体密封的所述半导体器件的特性缺陷的测试;(i)在步骤(h)之后,在所述半导体器件中的每个半导体器件中,执行用于筛选可视缺陷的视觉检验;并且(j)在所述半导体器件之中,装运在步骤(i)中确定为无缺陷的所述半导体器件,其中向所述衬底、所述衬底的所述芯片装配部分、所述半导体芯片以及用于存储和运送所述衬底的架中的每项附着唯一标识信息,其中在步骤(b)和后续步骤中的每个步骤中,经由服务器相互关联所述步骤中的每个步骤的制造历史和所述标识信息,由此执行所述半导体器件的过程控制,并且其中按架为单位执行所述过程控制直至步骤(c),而在步骤(d)中和之后按批次为单位执行所述过程控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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