[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201711266823.9 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109524464B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 马克·范·达尔;戈本·多恩伯斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法及半导体器件。形成鳍，其中，鳍包括底部、设置在底部上方的第一牺牲层、设置在第一牺牲层上方的第一半导体层、设置在第一半导体层上方的第二牺牲层以及设置在第二牺牲层上方的第二半导体层。第二半导体层从第一绝缘层突出。在第二半导体层上方形成伪栅极。在伪栅极的侧面上形成侧壁间隔件层。在伪栅极和侧壁间隔件层上方形成第一介电层。去除伪栅极，从而形成栅极间隔。在栅极间隔中蚀刻第一绝缘层，由此暴露第一半导体层以及第一牺牲层和第二牺牲层。去除第一牺牲层和第二牺牲层。形成栅极介电层和栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成鳍结构，其中，所述鳍结构包括底部、设置在所述底部上方的第一牺牲层、设置在所述第一牺牲层上方的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上方的第二牺牲层以及设置在所述第二牺牲层上方的第二半导体层，所述第二半导体层从第一绝缘层突出；在所述第二半导体层上方形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧面上形成侧壁间隔件层；在所述伪栅极结构和所述侧壁间隔件层上方形成第一介电层；去除所述伪栅极结构，从而形成栅极间隔；在所述栅极间隔中蚀刻所述第一绝缘层，由此暴露所述第一半导体层以及所述第一牺牲层和所述第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上方形成栅极介电层；以及在所述栅极介电层上方形成栅电极层。
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