[发明专利]像素结构

摘要

本发明公开了一种像素结构，其包括基板、薄膜晶体管以及共同电极。薄膜晶体管设置在基板上，且薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极绝缘层以及半导体主动层，栅极、源极与漏极分别重叠于一部分的半导体主动层，栅极绝缘层设置在栅极与半导体主动层之间，半导体主动层具有信道区，设置在源极与漏极之间，信道区包括主信道区以及多个次信道区，主信道区位于次信道区之间，主信道区的信道长度小于次信道区的信道长度，且主信道区的信道长度等于信道区的最小信道长度，其中信道长度是指信道区由漏极到源极之间的距离。共同电极设置在薄膜晶体管上，共同电极覆盖至少部分的次信道区，且共同电极具有一开口，暴露出主信道区。

主权项

1.一种像素结构，其特征在于，包括：一基板，具有一表面；一薄膜晶体管，设置在所述基板的所述表面上，且所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极、一漏极、一栅极绝缘层以及一半导体主动层，所述栅极、所述源极与所述漏极在垂直于所述表面的方向上分别重叠于一部分的所述半导体主动层，所述栅极绝缘层设置在所述栅极与所述半导体主动层之间，所述半导体主动层具有一信道区，设置在所述源极与所述漏极之间，所述信道区包括一主信道区以及多个次信道区，所述主信道区位于所述次信道区之间，所述主信道区的信道长度小于所述次信道区的信道长度，且所述主信道区的信道长度等于所述信道区的最小信道长度，其中信道长度是指所述信道区由所述漏极到所述源极之间的距离；以及一共同电极，设置在所述薄膜晶体管上，所述共同电极覆盖至少部分的所述次信道区，且所述共同电极具有一开口，暴露出所述主信道区。