[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711269041.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216455B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 黄诗涵;谢志宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H10B10/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。静态随机存取存储(SRAM)单元包括均在第一方向延伸的第一栅极和第二栅极。第一间隙在第一方向上将第一栅极与第二栅极分隔。SRAM单元包括在第一方向上延伸的Vcc接触件。第二间隙在垂直于第一方向的第二方向上将Vcc接触件与第一栅极分隔。Vcc接触件的区段在第一方向上没有与第一间隙重叠。SRAM单元包括在第一方向上延伸的Vss接触件。第三间隙在第二方向上将Vss接触件与第一栅极分隔。Vss接触件的区段被设置为邻近第一间隙。Vss接触件在第二个方向上小于Vcc接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：细长栅极结构，在第一方向上延伸，其中，所述细长栅极结构具有第一端部、第二端部和设置在所述第一端部与所述第二端部之间的第三部分；第一导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第一导电接触件被设置为邻近所述细长栅极结构的第三部分，其中，所述第一导电接触件具有在所述第一方向上测量的第一尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上测量的第二尺寸；第二导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第二导电接触件被设置为邻近所述细长栅极结构的第一端部，其中，所述第二导电接触件具有在所述第一方向上测量的第三尺寸和在所述第二方向上测量的第四尺寸，其中，所述第一尺寸小于所述第三尺寸，并且所述第二尺寸大于所述第四尺寸；第一鳍结构，在顶视图中与所述细长栅极结构相交并且与所述第一导电接触件相交；以及第二鳍结构，在顶视图中与所述细长栅极结构相交并且与所述第二导电接触件相交，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均在所述第二方向上延伸，并且所述第一结构在所述第一方向与所述第二鳍结构分隔。
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