[发明专利]利用溴化镧探测器测量中子剂量率的方法和中子剂量率仪有效
| 申请号： | 201711269585.7 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108051847B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 曾志;刘翠红;李君利;张辉;曾鸣;马豪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用溴化镧探测器测量中子剂量率的方法和中子剂量率仪，其中，测量中子剂量率的方法利用中子在溴化镧探测器中产生的中子特征γ能峰的净计数率与所述中子在该点造成的中子剂量率之间存在确定性的函数关系，通过测量γ能谱，并利用所述确定性的函数关系，计算并获得中子剂量率。因此，利用本发明实施例的测量中子剂量率的方法能够更加方便、快速、准确地获得中子剂量率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 溴化镧 探测器 测量 中子 剂量率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量中子剂量率的方法，其特征在于，所述方法利用中子在溴化镧探测器中产生的中子特征γ能峰的净计数率与所述中子在该点造成的中子剂量率之间存在确定性的函数关系，通过测量γ能谱，并利用所述确定性的函数关系，计算并获得中子剂量率，其中，所述确定性的函数关系为对数函数关系或线性拟合函数：所述对数函数关系表示为：Di＝alnNi+b，其中，Di为中子剂量率，单位为μSv/h；Ni为入射中子与溴化镧晶体材料发生反应产生的特征γ能峰的净计数率，单位为cps；a，b为常数，且a>0；所述线性拟合函数表示为：Di＝kNi+c，其中，Di为中子剂量率，单位为μSv/h；Ni为入射中子与溴化镧晶体材料发生反应产生的特征γ能峰的净计数率，单位为cps；k，c为常数，且k>0。
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