[发明专利]一种硅片的处理方法在审
| 申请号： | 201711271080.4 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109872941A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵向阳 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅片的处理方法，包括以下步骤：取一硅片进行氧化处理，以在所述硅片表面形成氧化膜；对所述硅片进行低温加热处理，使所述硅片内部的金属离子扩散至所述硅片表面的氧化膜中；去除所述硅片表面的氧化膜；清洁所述硅片。通过对所述硅片进行氧化处理形成氧化膜，氧化膜有吸附金属离子的功能；对所述硅片进行低温加热处理，使所述金属离子向所述硅片表面扩散，所述金属离子会附着在所述氧化膜上，以去除所述硅片内部的金属离子；通过酸性腐蚀溶液等腐蚀所述硅片表面，可以腐蚀掉所述硅片表面的氧化膜和附着在氧化膜上的金属离子，达到去除所述硅片中金属离子的目的，使所述硅片中金属离子去除的更有效。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 氧化膜 硅片表面 金属离子 去除 低温加热 氧化处理 附着 金属离子扩散 金属离子去除 酸性腐蚀溶液 吸附金属离子 腐蚀 扩散 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的处理方法，其特征在于，所述硅片的处理方法包括以下步骤：取一硅片进行氧化处理，以在所述硅片表面形成氧化膜；对所述硅片进行低温加热处理，使所述硅片内部的金属离子扩散至所述硅片表面的氧化膜中；去除所述硅片表面的氧化膜；清洁所述硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711271080.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用介质阻挡放电辅助离子化的离子源装置
- 下一篇：激光结晶设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
