[发明专利]Ta-C-N陶瓷先驱体合成方法有效
| 申请号： | 201711272909.2 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107986792B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 简科;王军;王浩;邵长伟;王小宙;苟燕子;谢征芳 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 董惠文 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种Ta‑C‑N陶瓷先驱体合成方法，该方法首先将钽源化合物TaX |
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| 搜索关键词： | ta 陶瓷 先驱 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种Ta‑C‑N陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，包括以下步骤：在保护气氛下，向钽源化合物中加入氰胺化合物后再加入吡啶，第一次升温至110～120℃，搅拌反应6～24h，之后在保护气氛下，第二次升温至200～250℃，保温1～2h，冷却至室温得到Ta‑C‑N陶瓷先驱体，其中，所述钽源化合物为TaCl5、TaBr5或TaI5中的任意种的混合物或任一种；所述氰胺化合物为至少含有两个N‑H键且不含氧的氰胺化合物中的任意种的混合物或任一种。
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