[发明专利]TFT、制作方法、阵列基板、显示面板及装置有效
| 申请号： | 201711274716.0 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107994066B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 丁远奎;赵策;袁广才;胡迎宾;程磊磊;成军;周斌 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种TFT、制作方法、阵列基板、显示面板及装置。该TFT包括：在衬底上形成的含氢缓冲层；在所述缓冲层上形成的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括导体化区域和半导体化区域；在所述导体化区域上形成的源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及在所述半导体化区域上形成的栅极结构。本发明相较于现有技术制作工艺简单，并且在制作过程中避免了氧化物半导体层因等离子体轰击导致的表面缺陷以及因后续的热处理工艺导致的具有导体特性部分重新半导体化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制作方法 阵列 显示 面板 装置 | ||
【主权项】：
一种TFT，其特征在于，包括：在衬底上形成的含氢缓冲层；在所述缓冲层上形成的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括导体化区域和半导体化区域；在所述导体化区域上形成的源极或漏极，所述源极或漏极与所述导体化区域电连接；以及在所述半导体化区域上形成的栅极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711274716.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
