[发明专利]一种肖特基二极管器件及制造方法在审
| 申请号： | 201711274745.7 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109887988A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体芯片技术领域，提供了一种肖特基二极管器件及制造方法，本发明提供的肖特基二极管器件中至少包括了半导体衬底、外延层、多个深槽、电介质层、多晶硅、金属电极层；电介质层至少包括采用第一材料形成的第一电介质层和采用第二材料形成的第二电介质层，第一材料的介电常数大于第二材料的介电常数。通过采用高介电常数的第一电介质层使得肖特基区的顶部在较低的电压下夹断第一外延层形成的漂移区，从而屏蔽金属电极层与外延层的界面，降低金属电极层和外延层之间的电场强度，在不降低击穿电压的条件下降低了肖特基二极管的导通电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 外延层 肖特基二极管器件 金属电极层 第二材料 第一材料 介电常数 屏蔽金属电极 肖特基二极管 半导体芯片 高介电常数 导通电压 击穿电压 多晶硅 漂移区 肖特基 衬底 深槽 下夹 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的外延层，其中，所述外延层开设有多个深槽；形成在所述深槽内壁的电介质层；形成于所述深槽内且位于在所述电介质层之间的多晶硅；及形成在相邻的所述深槽之间的所述外延层表面的金属电极层，所述金属电极层通过接触孔与所述多晶硅相连；其中，所述电介质层至少包括采用第一材料形成的第一电介质层和采用第二材料形成的第二电介质层，所述第一电介质层靠近所述深槽开口方向，所述第二电介质层靠近所述深槽的底部，所述第一材料的介电常数大于所述第二材料的介电常数。
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