[发明专利]半导体器件和制造方法

摘要

本发明涉及形成配置为改进邻近的栅极结构之间的介电填充的侧壁间隔件的方法。在一些实施例中，该方法可以通过在第一栅极结构上方和第二栅极结构上方沉积侧壁间隔件材料来实施。对侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕第一栅极结构的第一中间侧壁间隔件并且形成围绕第二栅极结构的第二侧壁间隔件。在衬底上方形成掩模材料。第一中间侧壁间隔件的一部分从掩模材料向外突出，而第二侧壁间隔件由掩模材料完全覆盖。之后，对第一中间侧壁间隔件的从掩模材料向外突出的一部分实施第二蚀刻工艺以形成凹进至第一栅极结构的最上表面之下的第一侧壁间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底上方形成第一栅极结构和第二栅极结构；在所述第一栅极结构上方和所述第二栅极结构上方形成侧壁间隔件材料；对所述侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕所述第一栅极结构的第一中间侧壁间隔件并且形成围绕所述第二栅极结构的第二侧壁间隔件；在所述衬底上方形成掩模材料，其中，所述第一中间侧壁间隔件的一部分从所述掩模材料向外突出并且所述第二侧壁间隔件由所述掩模材料完全覆盖；以及对所述第一中间侧壁间隔件的从所述掩模材料向外突出的一部分实施第二蚀刻工艺以形成凹进至所述第一栅极结构的第一最上表面之下的第一侧壁间隔件。