[发明专利]用于半导体制造的混合双重图案化方法有效
| 申请号： | 201711275062.3 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109509697B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 谢艮轩;郑文立;郑东祐;赖志明;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用第一光刻技术和不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法，该方法包括提供具有IC图案的IC的布局；并且从该布局导出图案。该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边。该顶点代表IC图案。将棱边分成至少两种类型，第一类型连接将分别用第一光刻技术和第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型连接将在相同的工艺中使用第一光刻技术图案化，或者将分别用第一和第二光刻技术图案化的两个顶点。该方法还包括将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上分别使用第一和第二光刻技术图案化对应于第一和第二子集的IC图案。本发明实施例涉及用于半导体制造的混合双重图案化方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 混合 双重 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法，所述方法包括以下步骤：提供IC的布局，所述布局具有一组IC图案；从所述布局导出图案，所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边，所述顶点代表所述IC图案，将所述棱边分为至少两种类型，第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点；以及使用计算机化IC工具，将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述IC图案，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述IC图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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