[发明专利]一种屏蔽栅功率器件及制造方法在审
| 申请号： | 201711275080.1 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109887989A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体芯片技术领域，提供了一种屏蔽栅功率器件及制造方法，屏蔽栅功率器件中包括了半导体衬底、外延层、氧化层、场板、栅极、栅极氧化层、层间绝缘层、源极、通孔、离子注入区、沟道区；氧化层位于场板与外延层之间，氧化层至少包括第一氧化层和第二氧化层，第一氧化层具有第一厚度，第二氧化层具有第二厚度，第一氧化层靠近栅极氧化层，第二氧化层靠近半导体衬底，第二厚度大于第一厚度；通过采用较薄的第一氧化层使得场板在低压状态下便开始发挥对漂移区的耗尽作用，而第二氧化层的厚度保持不变使得屏蔽栅功率器件承受的击穿电压不发生改变，避免了屏蔽栅功率器件击穿电压的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 功率器件 屏蔽栅 场板 栅极氧化层 击穿电压 外延层 衬底 半导体 半导体芯片 层间绝缘层 离子注入区 低压状态 沟道区 漂移区 通孔 源极 耗尽 制造 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅功率器件，其特征在于，至少包括：半导体衬底、外延层、氧化层、场板、栅极、栅极氧化层、层间绝缘层、源极、通孔、离子注入区、沟道区；所述氧化层位于场板与外延层之间，所述氧化层至少包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层具有第一厚度，所述第二氧化层具有第二厚度，所述第一氧化层靠近栅极氧化层，所述第二氧化层靠近半导体衬底，所述第二厚度大于所述第一厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳尚阳通科技有限公司，未经深圳尚阳通科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711275080.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肖特基二极管器件及制造方法
- 下一篇：超结IGBT器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
