[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711275236.6 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109887845B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区，第二区与第一区邻接；形成本征鳍部和伪鳍部，本征鳍部位于半导体衬底第一区上，伪鳍部位于半导体衬底第二区上；在半导体衬底第一区和第二区上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁和本征鳍部的部分侧壁；在本征鳍部表面形成保护层，本征鳍部中高于第一隔离层表面的区域被所述保护层覆盖；去除伪鳍部和第二区的第一隔离层；去除伪鳍部和第二区的第一隔离层后且在形成所述保护层之后，在半导体衬底第二区上形成第二隔离层。所述方法避免邻近第二区的本征鳍部的宽度过小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区，第二区与第一区邻接；形成本征鳍部和伪鳍部，本征鳍部位于半导体衬底第一区上，伪鳍部位于半导体衬底第二区上；在半导体衬底第一区和第二区上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁和本征鳍部的部分侧壁；在本征鳍部表面形成保护层，本征鳍部中高于第一隔离层表面的区域被所述保护层覆盖；去除伪鳍部和第二区的第一隔离层；去除伪鳍部和第二区的第一隔离层后且在形成所述保护层之后，在半导体衬底第二区上形成第二隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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