[发明专利]一种瞬时掉电时MCU的内存数据保护方法和装置在审
| 申请号： | 201711275635.2 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108121428A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张利军 | 申请（专利权）人： | 北京慧驰科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/30 | 分类号： | G06F1/30;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;何立春 |
| 地址： | 100043 北京市石*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种瞬时掉电时MCU的内存数据保护方法和装置。所述MCU不具备备份内存功能，其所述MCU的静态随机存取存储器SRAM不需要使用MCU芯片的主时钟分频，所述方法包括：在MCU供电端增加一个储能电容器；检测MCU的外部供电电压，当外部供电电压低于预设电压阈值时，进行低功耗处理；当MCU的外部供电恢复时，使用SRAM中的数据恢复系统至掉电前的工作状态。本发明实现了使得不具备专用备份内存的部分MCU具备瞬时掉电内存数据保护功能，拓展了低端MCU的应用领域，降低了硬件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 掉电 内存数据保护 外部供电电压 方法和装置 备份内存 静态随机存取存储器 数据恢复系统 储能电容器 外部供电 硬件成本 预设电压 低功耗 供电端 主时钟 阈值时 低端 分频 检测 拓展 恢复 | ||
【主权项】：
一种瞬时掉电时MCU的内存数据保护方法，所述MCU不具备备份内存功能，其所述MCU的静态随机存取存储器SRAM不需要使用MCU芯片的主时钟分频，其特征在于，所述方法包括：在MCU供电端增加一个储能电容器；检测MCU的外部供电电压，当外部供电电压低于预设电压阈值时，进行低功耗处理；当MCU的外部供电恢复时，使用SRAM中的数据恢复系统至掉电前的工作状态。
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