[发明专利]一种非回转体变截面构件电弧增材制造路径规划方法在审
申请号: | 201711276583.0 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108176912A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 王福德;王国庆;李权;张昆;罗志伟;申泱;何京文;严振宇;田彩兰 | 申请(专利权)人: | 首都航天机械公司;中国运载火箭技术研究院 |
主分类号: | B23K9/04 | 分类号: | B23K9/04;B23K9/32 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 莫丹 |
地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种非回转体变截面构件电弧增材制造路径规划方法,其包括如下步骤;(1)模型处理;(2)单层切片;(3)单层加工路径生成;(4)多层切片;(5)多层加工路径生成及输出电弧增材设备的运动指令;(6)循环程序。本发明开发了一套基于UG软件的电弧增材制造路径规划方法,实现了产品三维模型的自动分层切片及路径规划,大幅缩短了编程时间,提高电弧增材制造技术的生产效率和自动化水平。 | ||
搜索关键词: | 电弧 路径规划 切片 变截面构件 回转体 制造 单层 自动化水平 多层加工 加工路径 路径生成 模型处理 三维模型 生产效率 循环程序 运动指令 自动分层 多层 编程 输出 开发 | ||
【主权项】:
1.一种非回转体变截面构件电弧增材制造路径规划方法,其特征在于,该方法用于非回转体变截面构件电弧增材制造,具体包括如下步骤;(1)模型处理将零件原始三维模型导入UG软件,根据需要确定加工余量;(2)单层切片确定电弧增材制造沉积方向,建立与沉积方向垂直的剖切平面,剖切平面距零件底部距离为Dc;(3)单层加工路径生成选取剖切平面内的零件轮廓线进行偏置,偏置距离为Doff;通过UG软件选取偏置曲线生成加工路径;(4)多层切片基于UG软件进行多层切片,使剖切平面距零件底部距离Dc按分层切片厚度DL自动增加,第K层剖切平面距零件底部距离Dc=K×DL;当剖切平面距零件底部距离Dc改变,则步骤(3)中的偏置曲线重新生成;(5)多层加工路径生成及输出电弧增材设备的运动指令通过UG软件选取第K层的偏置曲线重新生成加工路径;获取第K层加工路径上的所有点的坐标数据,相邻两点之间采用直线运动拟合,运动指令末尾自动调用第K+1层的电弧增材设备的运动指令;(6)循环程序通过循环程序,自动实现第1至n层的电弧增材设备的运动指令自动输出,n=H/DL,H为零件高度,DL为分层切片厚度,切片总层数n。
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