[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711276605.3 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108155203B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 朴钟撤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00;H10N79/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括单元结构的堆叠结构、电极结构和加热电极。每个单元结构包括顺序地堆叠的盖层、选择层、缓冲层、可变电阻层和上电极层。电极结构在穿过堆叠结构的开口中，与缓冲层、可变电阻层和上电极层电隔离并且电连接到选择层。加热电极在可变电阻层与选择层之间并且操作为传递热到可变电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：堆叠结构，包括在基板上堆叠的多个单元结构，所述多个单元结构的每个包括顺序地堆叠的盖层、选择层、缓冲层、可变电阻层和上电极层；电极结构，在穿过所述堆叠结构的开口中，所述电极结构与所述缓冲层、所述可变电阻层和所述上电极层电隔离并且电连接到所述选择层；以及加热电极，在所述可变电阻层与所述选择层之间，所述加热电极用于传递热到所述可变电阻层。
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