[发明专利]一种链式湿化学法制备可控结构多晶黑硅的方法

摘要

本发明公开了一种链式湿化学法制备可控结构多晶黑硅的方法，采用链式设备，包括以下步骤：用氢氟酸和硝酸混合液去除硅片表面的损伤层；用硝酸铜、硝酸银、双氧水、氢氟酸的混合溶液在硅片表面形成刻蚀洞；用硝酸溶液去除硅片表面银/铜离子；高浓度硝酸、氢氟酸及纳米结构修饰溶液对硅片表面刻蚀洞进行修饰；用氨水和双氧水进一步去除表面可能残留的金属杂质；用氢氟酸和盐酸的混合溶液清洗硅片；烘干即可制得黑硅。本发明的方法简单，设备及原料成本低，制备的黑硅的反射率高，表面规则度高，且表面结构可调控，性能稳定，可以用于太阳能多晶硅电池。

主权项

1.一种链式湿化学法制备可控结构多晶黑硅的方法，其特征在于，采用链式设备，包括以下步骤：（1）用氢氟酸和硝酸混合液去除硅片表面的损伤层；（2）用硝酸铜、硝酸银、双氧水、氢氟酸的混合溶液在硅片表面形成刻蚀洞；（3）用硝酸溶液去除硅片表面银/铜离子；（4）高浓度硝酸、氢氟酸及NSR的混合溶液对硅片表面刻蚀洞进行修饰；（5）用氨水和双氧水进一步去除表面可能残留的金属杂质；（6）用氢氟酸和盐酸的混合溶液清洗硅片；（7）烘干即可制得黑硅。