[发明专利]FFS模式阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201711277779.1 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108054140B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 邓永 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种FFS模式阵列基板的制造方法，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层,通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。采用本发明，具有简化制程、降低成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | ffs 模式 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FFS模式阵列基板的制造方法，其特征在于，所述FFS模式阵列基板包括垂直结构薄膜晶体管，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层，所述第一金属层位于透明半导体层上；通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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